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台积电大消息!芯片涨价潮来势汹汹 巨头暂停报价

2025-11-03 19:09:42 来源:券商中国

台积电大消息!芯片涨价潮来势汹汹 巨头暂停报价

芯片涨价浪潮来势凶猛。

最新消息显示,到2026年,台积电会进一步提高先进制程(7nm以下)的报价,先进制程的涨幅预计在3%至10%之间,这将是全球最大的晶圆代工厂连续第四年上调价格。

种种迹象表明,全球芯片涨价的趋势愈发强烈。根据供应链的消息,三星电子率先暂停了10月DDR5 DRAM合约的报价,引得SK海力士、美光等其他存储原厂纷纷跟进,恢复报价的时间预计会推迟到11月中旬。

从市场层面来看,今日(11月3日),SK海力士和三星电子的股价持续上扬。截至韩国股市收盘,SK海力士的股价大幅上涨近11%;三星电子的股价涨幅超3%,再次创下历史新高。A股存储芯片概念股也集体表现强势,太极实业直线涨停,香农芯创涨幅超8%,再创历史新高,普冉股份涨幅超14%,江波龙、商络电子、兆易创新、北京君正等股票也随之上涨。

台积电大消息

11月3日,据中国台湾《经济日报》援引产业人士的消息,由于生产成本不断攀升,产能持续供不应求,台积电已经开始与客户进行年度议价沟通。预计2026年,先进制程的涨幅将达到3%至10%。

消息人士透露,台积电已告知客户,从9月起,针对5纳米以下的先进制程启动连续4年的涨价计划,涨幅会根据个别客户的采购等级和合作情况有所不同。其中,最热门的3纳米制程报价预计至少会有个位数百分比的上涨。

业界将此形容为“AI时代以来首次长期涨价行动”。展望2026年,台积电的先进芯片工艺将面临严重的产能瓶颈,这主要是因为高性能计算(HPC)客户在公司订单中的占比越来越大。

分析人士认为,台积电罕见地启动连续4年涨价,与联发科此前提出的“将根据成本上调芯片售价”相呼应,预计会引发下一波芯片涨价潮。

有机构指出,随着全球通货膨胀加剧,加上台积电海外建厂和生产成本增加,为了保持较高的毛利率,预计从2026年起,台积电5nm制程以下的价格将上涨约5% - 10%。

研究机构预测,虽然2026年个别先进制程的涨幅存在差异,但整体涨幅会优于今年。

芯片设计业者指出,台积电此次涨价可能意味着会逐步减少7纳米以上成熟制程的产能,AI、服务器和HPC应用将成为主要的受益领域。

业界人士表示,台积电会综合考虑客户的采购规模、合作深度等因素来确定具体涨幅,以在反映成本的同时,保持客户关系的稳定。

先进制程已成为台积电主要的增长动力。今年第二季,5nm与3nm家族制程的营收占比达六成,第三季仍维持这一比例,其中3nm占23%,5nm占37%。

台积电多次强调,公司与客户紧密合作规划产能,投资先进和特殊制程技术以满足客户需求,同时在客户的信任下获得合理回报。目前,由于AI应用的需求持续旺盛,先进制程供不应求。

分析认为,随着AI相关需求的增长,将推动台积电的营收和利润持续上升。外资此前已上调了该公司AI应用营收的中长期预测,原本预计2028年AI应用营收将占总收入的35%,目前有望在今年或明年提前实现。

TrendForce预测,晶圆厂因AI带动电源管理芯片需求而受益,已计划在2026年全面上调代工价格。尽管具体涨幅还需协商,但市场的涨价氛围已经形成。台积电在先进制程领域的领先地位和产能紧张的状况,为其持续调价提供了支撑。

芯片巨头暂停报价

目前,全球芯片涨价的态势愈演愈烈。据中国台湾电子时报援引供应链消息,三星电子率先暂停了10月DDR5 DRAM合约的报价,促使SK海力士、美光等其他存储原厂跟进,恢复报价的时间预计会推迟到11月中旬。

报道指出,第四季度,上游原厂仅向科技龙头或一线云厂商提供报价,DDR5几乎没有向其他一般客户释放产能,存储市场“已完全进入卖方市场”。不仅如此,未来存储三大原厂的供货策略将更加严格,仅向长期客户提供报价,这意味着原厂不提供报价可能会成为常态,迫使有紧急需求的客户转向现货市场抢购货物。

业内人士透露,虽然存储四季度合约价上涨已成为市场共识,但此前预计10月底前就能确定四季度合约价。然而,三星迟迟不提供合约报价,直接告知下游客户“无货可卖”,导致短短一周内,DDR5现货价格飙升25%。

目前,四季度合约价格尚未确定。该报道推测,从今年第四季度到明年上半年,DDR5价格将“连续三级跳”式暴涨,逐季涨幅将朝着30% - 50%推进。以此计算,2026年上半年DDR5 16Gb的报价可能高达30美元。

业内将本轮涨价视为“超级周期”的开端,AI是核心驱动力,全球对高带宽内存HBM的需求急剧增加。例如,OpenAI名为“星际之门”的数据中心项目预计每月需要高达90万片晶圆。

国泰君安证券指出,存储行业已进入新一轮上行周期,随着AI大模型训练和推理对内存容量的需求急剧增加,HBM和DDR5内存的短缺将进一步影响整个存储产业链。

集邦咨询最新报告预估,第四季度,一般型DRAM价格将上涨18%至23%,若加上HBM,涨幅将扩大至23%至28%;NAND Flash各类产品合约价也将全面上涨,平均涨幅为5%至10%。

集邦咨询分析师许家源表示,进入第四季度,随着北美云服务商陆续释放出对2026年DRAM需求的积极展望,预计将带动DRAM整体需求增长和价格上涨,这一趋势将延续到2026年。

TechInsights的10月统计数据显示,第三季度DRAM平均库存降至8周,低于去年同期的10周和2023年初的31周,市场供应迅速紧张。

多名知名存储分析师预测,DRAM和NAND Flash市场目前均出现缺货现象,预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上涨。





(文章来源:券商中国)


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